《表1 ESD器件建模输入信息表》
ESD防护器件GGNMOS的建模方法采用CMOS器件建模方法的标准流程[7],参见图,输入信息(部分)如表1所示。
图表编号 | XD0025338400 严禁用于非法目的 |
---|---|
绘制时间 | 2018.12.25 |
作者 | 黄成、罗俊、李广志 |
绘制单位 | 中国电子科技集团公司第二十四研究所、中国电子科技集团公司第二十四研究所、中国人民解放军驻重庆气体压缩机厂军事代表室 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |
ESD防护器件GGNMOS的建模方法采用CMOS器件建模方法的标准流程[7],参见图,输入信息(部分)如表1所示。
图表编号 | XD0025338400 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.12.25 |
作者 | 黄成、罗俊、李广志 |
绘制单位 | 中国电子科技集团公司第二十四研究所、中国电子科技集团公司第二十四研究所、中国人民解放军驻重庆气体压缩机厂军事代表室 |
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