《表1 器件尺寸变化数据：智能卡芯片中ESD的设计》

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《智能卡芯片中ESD的设计》

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C G＿d r a i n是指中间drain端的contact到poly的距离，CG＿source是指source端的contact到poly的距离。图2(a），图2(b），图2(c）是第一组数据的测试结果；图3(a），图3(b）是第二组数据的测试结果。从第一组数据可知：随着CG＿drain(D端con到gate间距）的变大，ESD器件的二次击穿电压变大，也就是防护性能会变强。从第二组数据可知：随着CG＿source(s端con到gate间距）的变大，ESD的防护性能并没有显著变强。从TLP测试数据看，可以根据单组器件的TLP性能来设计相应的ESD防护器件。例如二次击穿电压所对应的电流为1 A，根据人体电阻，乘以1500，那么就意味着一组器件的HBM防护电压为1500 V，如果需要4 000 V的ESD性能，那么我们设计三组即可。当然整个芯片的ESD设计不仅仅取决于这几组器件的ESD性能，还需要和其他电路进行配合等，这也是需要进一步研究的地方。