《表2 全芯片ESD HBM测试结果》

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《一种纳米级存储器芯片的ESD的物理失效分析和研究》

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为了芯片FIB后的方案满足系统的ESD能力要求，再次将芯片放电测试组合分成输入/输出-VDD/VSS，输入/输出-输入/输出，VDD-VSS，对于HBM静电测试，测试所有上述组合，并且分别测试正向和反向ESD电压。通过TLP曲线观察ESD的能力和雪崩击穿的电压值，1993年高速传输脉冲（VF-TLP）ESD测试系统[15]，该系统被广泛用于ESD测试，通过捕捉整个放电过程中的电流/电压，来还原器件在HBM脉冲下的行为[16]，如图5所示，ESD的测试结果通过2 000V，完成满足系统对芯片的静电保护要求。