《表6 CMUTs芯片电容测试结果》

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《基于共晶键合技术的CMUTs结构设计与试验测试》

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测试时，首先进行阻抗分析仪校准，而后直接将芯片的上下电极与阻抗分析仪测试端口相连，取3个相同的阵列芯片进行测试，每个阵列芯片进行3次电容测试，将其平均值作为该阵列芯片的电容值；用三个芯片电容的平均值衡量同一类型阵列芯片的静态电容。测试结果如表6所示，表中所给单个芯片的电容值为3次测试的平均值。由表6可知，芯片电容的实际测量值小于理论设计值，这是由于所制备芯片薄膜发生凸起变形、空腔高度变大所致。