《表5 CMUTs芯片结构尺寸及薄膜变形测试结果》

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《基于共晶键合技术的CMUTs结构设计与试验测试》

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从表5中的测试数据可以看出，CMUTs薄膜的半径（边长）、SiO2支柱厚度以及基底硅上过渡金属层厚度的实测值与设计值基本一致，与设计值最大误差为1.8%。CMUTs薄膜厚度尺寸与设计值之间的误差为18%。这主要是由于硅片厚度误差及在去除SOI片的埋层二氧化硅时的工艺所致。此外，芯片的空腔高度测试值为1.17μm，大于设计值，与设计值的相对误差达39.6%。这可能是温度变化过程中所产生的热应力导致薄膜发生凸起变形，引起上下电极间距离增大。