《表1 实验芯片气密性测试结果》

《表1 实验芯片气密性测试结果》   提示:宽带有限、当前游客访问压缩模式
本系列图表出处文件名:随高清版一同展现
《一种MEMS陀螺晶圆级真空封装工艺》


  1. 获取 高清版本忘记账户?点击这里登录
  1. 下载图表忘记账户?点击这里登录

将真空封装后的晶圆划成小芯片,对小芯片进行气密性检测,检测主要包括He质谱检漏仪细检和氟油粗检。He质谱检漏仪采用的示踪气体为He气,对示踪气体的浓度进行检测。利用He质谱检漏仪加压法测量泄漏时,按照GJB548A标准,根据本次键合后的内腔体积,将待测小芯片在5个大气压的He气环境下放置4 h,取出后置于He质谱检漏仪抽真空至稳定值,如果存在泄漏,将被He质谱检漏仪侦测,从示踪的He的浓度可以计算出泄漏速率[2]。由于MEMS陀螺封装腔室较小,实验中还对几个芯片同时进行He质谱检漏仪分析。测试结果如表1所示,表中给出了1、2号单个芯片的泄漏速率以及3~5号芯片和6~10号芯片的总体泄漏速率,结果显示每个芯片的泄漏速率均在1.0×10-8 Pa·m3·s-1量级,未达到预期指标。再将测试芯片进行氟油粗检,芯片放入加热的氟油中,观测是否有气泡产生。若芯片样品有气泡产生,表明芯片腔体有较大泄漏,真空封装不合格[8]。经检测发现10只样品均未出现气泡,判定10只样品无较大泄漏。气密测试结果表明,所有测试芯片均无较大泄漏,只有少量微小泄漏。