《表1 不同封装工艺条件下芯片气密性封盖的抗剪强度对比[47]》

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《电子封装用Au-20Sn钎料研究进展》

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表1为不同封装工艺对Au-20Sn钎料芯片气密性封盖抗剪强度的影响[47]。样品1和样品2采用Au-20Sn钎料真空熔封气密性封盖，芯片脱离强度相对较低；样品3和样品4采用平行缝焊工艺焊接气密性封盖，芯片脱离强度显著增强。此外，因为芯片贴装的常用材料为聚合物粘结剂，故在高温下会释放出稀释剂中的杂质气氛和水汽，而采用平行缝焊工艺能够有效控制焊接过程中的水汽含量以及温度敏感器件的电参数。