《表3 实验样品数据：工艺拉偏的芯片扫描测试方法研究》

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《工艺拉偏的芯片扫描测试方法研究》

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由表3的实验数据得知，当芯片频率运行在1.2GHZ时，按照3σ的工艺标准规格设定，及良率达到99%以上[5]，基准工艺的芯片电压最低需要1.15V。当NMOS、PMOS工艺偏快2σ时，最低电压为1.025V；当NMOS、PMOS工艺偏慢2σ时，电压需要1.175V；当NMOS快1.5σ、PMOS慢1.5σ时，电压最低需要1.125V；当NMOS慢1.5σ、PMOS快1.5σ时，电压最低需要1.1V。图3为NMOS、PMOS的工艺窗口。