《表3 实验片A芯片气密性测试结果》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《一种MEMS陀螺晶圆级真空封装工艺》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

在本文的真空封装方案中，封装气密性与金硅共晶键合质量紧密相关。由于金属引线从键合环下方横向引出，导致键合环在引线表面和引线间隙处存在高度差，该高度差导致键合面存在空隙。在共晶键合时，液相的金硅合金可流入键合环的高度差间隙，防止真空封装泄漏。但间隙过大或金硅合金较少时，无法填满键合面存在的间隙，从而导致气密封装失败，如图3（a）所示。因此，真空封装的成功与下层钨金属引线厚度和金层厚度密切相关:钨引线在满足电连接电阻要求时，应尽量薄以减小键合面上高度差；金层厚度应满足液相金硅合金能填满高度差间隙的要求，如图3（b）所示，间隙被液相金硅合金填满，确保了真空封装的气密性。为此制备新实验片A，其钨引线厚度为0.2μm，金层厚度为0.8μm，其他工艺条件均不变，将实验片A划成小芯片后，其中10个小芯片的气密性测试结果如表3所示，结果显示实验片A小芯片真空泄露速率均小于2.0×10-12 Pa·m3·s-1，真空封装效果良好，达到预期指标。