《表3 样品芯片测试数据表》

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《成核层生长工艺对紫外LED外延片性能的影响》


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外延片产品通过芯片加工,经过蒸镀ITO扩展电极,刻蚀n型台面,蒸镀p面和n面电极,研磨抛光、划裂片等工艺,制作得到尺寸为325μm*300μm的芯片实验获得的外延片样品加工为1312标准管芯,并使用维明LED617对芯片进行光电性能测试。正向电压Vf、峰值波长WLP和发光功率IV均为常规20mA恒流测试条件下测试获得。测试数据如表3: