《表1 样品拉偏实验工艺条件》

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《工艺拉偏的芯片扫描测试方法研究》

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芯片在初次流片时，工艺条件是晶圆厂工程师根据该工艺技术条件提供一个工艺参考值进行生产，称之为基准工艺参数条件。在此基准参数工艺的基础上对NMOS、PMOS以改变离子注入浓度的方式，对工艺进行调整，业内称作工艺拉偏。通过工艺拉偏，调整NMOS、PMOS的速度快慢，以达到调整芯片性能的作用[4]。表1为晶圆样品工艺拉偏的实验条件。