《表3 数据集基本信息：芯片推力方法与MEMS芯片固化工艺的研究》

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《芯片推力方法与MEMS芯片固化工艺的研究》

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首先怀疑的工艺过程改变是造成推力出界的原因，对此进行烘烤时间试验，设定的T0-20度2小时能不能满足工艺要求。为此，设计了三组样品，分别是T0-20度2小时，T0-20度2.5小时，T0-20度3小时烘箱连续烘烤，推力结果如表3试验推力数据表。