《表4 慢增量试验结果:芯片推力方法与MEMS芯片固化工艺的研究》
寻找先前材料没有改变之前的数据,其中的部分数据推力值虽然没有超出下限,但是有稍微偏低的状况,见表4历史数据推力表。
图表编号 | XD00195905800 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2021.02.05 |
作者 | 郑志荣、陈学峰、董华、胡乃仁、朱天意 |
绘制单位 | 苏州固鍀电子股份有限公司 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |
寻找先前材料没有改变之前的数据,其中的部分数据推力值虽然没有超出下限,但是有稍微偏低的状况,见表4历史数据推力表。
图表编号 | XD00195905800 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2021.02.05 |
作者 | 郑志荣、陈学峰、董华、胡乃仁、朱天意 |
绘制单位 | 苏州固鍀电子股份有限公司 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |