《表1 某芯片键合工艺参数正交试验设计表》
使用同一台键合设备、同型号金丝和同型号的键合劈刀,采用正交试验方法,采样范围为公司规定正常的键合工艺窗口。根据正交试验的原理,采用L9(34)正交表安排4因素3水平的正交试验,选择超声功率、超声时间、键合压力和预热温度作为4个关键因素,键合工艺参数因素水平正交设计见表1,试验方法与结果见表2。
图表编号 | XD0057339400 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.05.18 |
作者 | 阳微 |
绘制单位 | 成都西科微波通讯有限公司 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |