《表1 VOA芯片光学性能测试结果》

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《光MEMS芯片驱动结构自对准技术》

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采用波长为1 310 nm的激光发射器、光纤连接器、激光接收器及光功率计自主搭建光纤通信测试系统，分别测试VOA及OSW芯片性能。表1分别列出了VOA芯片样品插入损耗、衰减范围以及衰减重复性的测试结果。测试结果表明，VOA的插入损耗<0.6 dB，衰减范围>36 dB，衰减重复性≤0.05 dB，表现出良好的衰减性能。