《表1 带宽测试结果：微尺寸LED阵列芯片封装及其性能的研究》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《微尺寸LED阵列芯片封装及其性能的研究》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

MHz

测试系统包括了LED光源，直流电源，BiasTee，凸透镜，光电接收器模块以及网络分析仪。其中，光电接收模块包含了光电二极管和一个TIA放大器[13]。交流信号从网络分析仪（KeysightRE5080）中发出，和直流信号叠加在一起输入到Bias-Tee（Mini-CircuitsRZFBT-6GW-FT+）中，然后交直流信号注入到微尺寸LED阵列芯片中。LED光源发出的光经过两个透镜后入射到光电接收器中，经过光电信号的转换和放大后，电压信号输入到网络分析仪中，通过与输入到Bias-Tee信号进行比较后就得到了相应的调制带宽。分别测试6种不同发光单元大小的微尺寸阵列芯片的电光调制带宽，测试电流从10mA到90 mA，结果如表1所示。随着注入电流的增大，各尺寸的调制带宽也随之增加。对于大小为60μm的，调制带宽从10 mA下的28.59MHz提升到了90 mA下的125.71 MHz。这是因为随着注入电流的增大，电流密度增大，载流子在量子阱内复合的速率提升，降低了载流子的辐射复合寿命，从而提高了调制带宽。注入电流相同的情况下，尺寸越小，调制带宽越大，在90mA的注入电流下，尺寸为60、80、100、120、140、160μm分别对调制带宽为125.71、115.56、94.57、49.58、33.09、16.6 MHz，充分体现出了微尺寸LED的电光调制性能上的优势。