《表1 实验器件的主要ESD性能参数》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《高速小回滞双向SCR的ESD防护器件设计》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

在TLP应力作用下器件的主要特性参数如表1所示.与DUT1相比，DUT2和DUT3的维持电压（Vh）较大，这是由于PMOS管的无回滞电压输出特性作用.在器件导通之后，上述实验器件的二次失效电流（It2）均大于4.5 A，呈现出较强的ESD鲁棒性，测试结果与前文对不同结构的工作原理分析相吻合.结合器件的ESD性能参数和所消耗芯片面积，衡量ESD防护器件的效能比，该效能比通常称为品质因子（FOM），定义如下：