《表2 P+浮空SCR在不同阱间距下的主要ESD特性参数Tab.2 The main ESD characteristics of P+floating SCR with different well

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《ESD防护器件中SCR结构开启速度的优化与分析》

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不同L的P+浮空SCR的ESD特性及相关参数列于表2。经综合分析，折衷考虑器件的ESD综合性能，当L为5.66μm时，P+浮空SCR器件的Ton可缩短至25.50ns，开启速度提高了约17.70%。与表1相比，表2中Ton和Vos均随L增大而升高，是由于器件内部的SCR泄放路径增长，导致该导通路径上的电流变小，从而需要更大的电流使寄生三极管开启。