《表3 器件峰值电场强度：一种具有延伸浮空P基区结构的CSTBT器件特性分析及关键参数优化》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《一种具有延伸浮空P基区结构的CSTBT器件特性分析及关键参数优化》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

沟槽栅消除了传统平面栅的JFET效应，具有更低的饱和压降，相同的面积下可以增加元胞的数量，但同时也会带来电场集中效应。CSTBT的最大电场强度位于栅极拐角处，FP CSTBT的最大电场强度位于虚拟栅极1拐角处，EFP CSTBT的最大电场强度位于虚拟栅极1拐角处。表3为各个器件的峰值电场强度。