《表5 不同延伸浮空P基区深度下阻断电压和导通压降》
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《一种具有延伸浮空P基区结构的CSTBT器件特性分析及关键参数优化》
由表5可以看出，EFP深度对器件导通压降几乎没有影响，深度增加，导通压降减少很小。
| 图表编号 | XD00184336500 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2020.12.05 |
| 作者 | 孙海峰、蔡江、张红玉 |
| 绘制单位 | 华北电力大学电气与电子工程学院、华北电力大学电气与电子工程学院、华北电力大学电气与电子工程学院 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
