《表8 不同虚拟栅极2深度下阻断电压和导通压降》

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《一种具有延伸浮空P基区结构的CSTBT器件特性分析及关键参数优化》

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表8为不同虚拟栅极2深度下阻断电压和导通压降。从表8可知，器件阻断电压UB随着深度的增加先增大后减小，虚拟栅极2深度在6?m时阻断电压最高。在加工成本及艺技术条件的限制下，虚拟沟槽的深度不能过大，而且比栅极稍微深一点的虚拟栅极深度有利于正向阻断电压的提高。虚拟栅极深度的增加变相减少，N-漂移区的有效导通面积，也减小了其N-漂移区的电阻，从而使通态压降降低；但是过深的虚拟沟槽的深度会使器件阻断电压急剧下降，因此认为虚拟栅极深度为6?m最佳。