《表7 不同NCS层深度下阻断电压和导通电压》

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《一种具有延伸浮空P基区结构的CSTBT器件特性分析及关键参数优化》

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表7为不同NCS层深度下阻断电压和导通电压。NCS层的厚度主要影响器件的阻断电压，厚度增加，电子在高浓度掺杂区域的碰撞率增大加强了雪崩效应。从整个器件漂移区来看，其总厚度不变，器件内部NCS层的增加，增加的厚度就会占用N型漂移区的厚度，变相地减少了N-漂移区的厚度。器件的N-漂移区厚度与耐压成正比关系，因此NCS层的厚度增加会相应地减少器件阻断电压的能力。从仿真数据可知，NCS层厚度为1.5?m时，器件阻断电压和通态压降折中最优。