《表4 不同EFP掺杂浓度下阻断电压UB和导通压降UCE》

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《一种具有延伸浮空P基区结构的CSTBT器件特性分析及关键参数优化》


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表4是不同EFP掺杂浓度下正向导通与耐压特性数据对比。EFP掺杂浓度对器件的导通压降几乎没有影响,在没有掺杂和掺杂浓度为1.5×1015cm-3时差0.003V,浓度增加,导通压降降低,但是改变量只有原导通压降的0.12%。