《表2 不同碳源掺杂浓度下器件电流的下降百分比》

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《碳掺杂对28 nm PMOS器件性能的影响》

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由表2与表3可以看出，在PLDD浓度为B+1下，饱和电流增加1.8%，漏电流增加26.76%。而掺杂碳源浓度为A时，可以在不太影响饱和电流的前提下降低漏电流，下降幅度为40%。因此，选择碳源掺杂浓度为A、PLDD浓度为B+1，研究对PMOS器件性能的影响。