《表3 不同PLDD掺杂浓度下器件电流下降百分比》

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《碳掺杂对28 nm PMOS器件性能的影响》

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不同的PLDD掺杂浓度下，器件的性能参数列于表3。随着PLDD浓度的升高，器件的饱和电流与漏电流近似成比例增加。过大的漏电流是不可取的，需要对器件性能进行取舍。选择最合适的PLDD掺杂浓度，能在维持饱和电流的情况下降低器件的漏电流。