《表1 不同GO掺杂比例的器件的性能参数》
GO具有绝缘特性,作为HTL其绝缘性会随着GO厚度而增加,为了改善其导电性,可将GO与其它高导电性的材料复合用于HTL[16].图4对比了基于GO∶(PEDOT∶PSS)与PEDOT∶PSSHTL的器件的J-V曲线图.实验结果表明当GO与(PEDOT∶PSS)体积比为1∶5时,器件取得最优效率7.35%.从表1可以看出将GO与PEDOT∶PSS复合后,器件性能对GO的浓度敏感度不高,开路电压Voc相比标准PEDOT:PSS器件有了一定的提高,两者FF趋于一致,但是短路电流密度Jsc从17.64mA/cm2下降到了13.54 mA/cm2,复合GO后器件的PCE反而下降了12%,未能取得预期结果.结合AFM测试结果,推测一方面由于GO具有绝缘性,另一面掺杂GO后PEDOT∶PSS薄膜表面粗糙度略有增加,在一定程度上影响了后续沉积的钙钛矿薄膜质量.
图表编号 | XD0032846000 严禁用于非法目的 |
---|---|
绘制时间 | 2019.03.01 |
作者 | 王云祥、张继华、吴艳花、王红航、易子川、张小文、刘黎明 |
绘制单位 | 电子科技大学电子科学与工程学院、电子科技大学中山学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分实验室、电子科技大学电子科学与工程学院、电子科技大学电子科学与工程学院、电子科技大学中山学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分实验室、电子科技大学中山学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分实验室、电子科技大学中山学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分实验室、桂林电子科技大学广西信息材料重点实验室、电子科技大学中山学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分实验室 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |