《表1 实验分组情况：碳掺杂对28 nm PMOS器件性能的影响》

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《碳掺杂对28 nm PMOS器件性能的影响》

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实验分组情况如表1所示。总共进行4次实验分组，分别研究有无碳掺杂、不同的碳源掺杂量、不同的PLDD掺杂量、同时改变PLDD掺杂量与碳掺杂量对器件性能的影响。实验条件如下:碳源为CO，温度为室温（25℃），掺杂能量为5～15keV，硼源为BF2，掺杂能量为1～5keV。A、B作为基准值，取值范围为5～9。