《表1 三种LDMOS结构的参数对比》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《利用P型场环调节表面电场的积累层LDMOS》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

相对于图1（b）所示结构，本文LDMOS在漂移区表面设置宽度为L2的场环，场环与P-base区之间的距离为L1。漂移区N-epi的表面是厚度为tox的氧化层，氧化层的上层是厚度为tPoly的多晶硅二极管。多晶硅二极管的阳极与LDMOS的栅极相接，阴极通过一个反向二极管与LDMOS的漏极相接。为了避免耐压过程中多晶硅二极管接触孔附近的电场集中，设置长度分别为L3和L4的场板。三种LDMOS结构的参数对比如表1所示。