《表3 不同厂家LDMOS产品的性能对比》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《千瓦级硅LDMOS微波功率晶体管关键技术研究》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

器件在50 V工作电压、230 MHz工作频率、100μs脉宽、20%占空比条件，当输入功率为6 W时，输出功率1 340 W，增益23.5 dB，漏极效率74.4%；当输入功率为18 W时，输出功率2 010 W，增益20.4 d B，漏极效率66.2%。与NXP和飞思卡尔分别最新推出的BLF578XR和MRF6VP61K25H性能相当。不同厂家的LDMOS详细性能数据如表3所示。