《表2 优化后的烧结参数：千瓦级硅LDMOS微波功率晶体管关键技术研究》
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设定加热炉温度为400℃，对吸头下压力、吸头下行程、摩擦次数和摩擦幅度等参数进行了优化，优化结果如表2所示。
| 图表编号 | XD00107717200 严禁用于非法目的 |
|---|---|
| 绘制时间 | 2019.09.01 |
| 作者 | 黄乐旭、应贤炜、梅海、丁晓明、杨建、王佃利 |
| 绘制单位 | 南京电子器件研究所、南京电子器件研究所、南京电子器件研究所、南京电子器件研究所、南京电子器件研究所、南京电子器件研究所 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
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