《表1 HV VFET与BJT、LDMOS的比较》

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《硅射频DMOSFET发展现状》

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HVVFET器件，采用了屏蔽栅结构，可以把栅长做的很短，同时降低了寄生电容，从而提高了器件的功率增益和工作频率；封装上HVVFET采用倒装焊结构，既有利于散射，又降低了接地电感，进一步提高了器件的工作频率。因此，HVVFET在发挥了VDMOS功率密度大优势的基础上，大幅提高了器件的射频性能，同时HVVFET在部分频率范围内超越了LDMOS。这一时期，HVVFET代表了射频VDMOS器件的最高水平，也代表了射频MOSFET器件发展的最高水平。