《表2 基于GO/ (PEDOT∶PSS) 双HTL的电池的性能参数》

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《基于氧化石墨烯空穴传输层的钙钛矿太阳能电池》

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相比单一的PEDOT∶PSS HTL层，加入GO有利于能级匹配，如图1（b），可以提高空穴提取速率，同时阻挡电子复合[17].同时为了进一步阻挡PEDOT∶PSS对ITO电极的腐蚀，将GO/PEDOT∶PSS作为双空穴层，引入到钙钛矿电池中.图5给出了采用0.25mg/mL、0.5mg/mL、1mg/mL浓度GO溶液制备的器件的J-V曲线图.结果表明GO浓度为0.5mg/mL时，制备的器件性能最优，平均PCE为6.65%，最高PCE为7.69%.由表2可见，当GO浓度为0.5mg/mL或1mg/mL时，加入GO HTL的器件其Voc要略高于PEDOT∶PSS对照组器件的Voc.GO与PEDOT:PSS具有匹配的HOMO能级（分别为-4.9eV和-5.0eV），构成双空穴传输层，有利于空穴传输；同时，GO的LUMO能级（-1.9eV）比CH3NH3PbI3的导带能级（-3.9eV）高得多，因此可以有效阻挡电子流向ITO电极，降低了PEDOT∶PSS/ITO界面载流子复合，从而改善了Voc[18].由于GO是绝缘性的，作为ITO阳极界面层时，其绝缘性会随着厚度的增加而增大，导致器件的串联电阻增大，从而降低电池器件的短路电流[19-20]（图5）.随着GO浓度增加，旋涂制备的GO薄膜厚度也增大，短路电流降低更明显.