《表2 掺杂不同EAI摩尔比例的钙钛矿LEDs性能》

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《有机添加剂在钙钛矿电致发光器件中的应用》

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利用基于EAI掺杂得到的具有优异性能的钙钛矿薄膜进行了钙钛矿LED的制备，并通过各种表征以探究内部机理。制备的钙钛矿电致发光器件结构为（图6（a）):ITO （90nm）/PVK (30nm）/perovskite(40nm）/TPBi(55nm）/CsF(1.2nm）/Al(120nm），ITO为阳极，CsF/Al为阴极，PVK和TPBi为空穴传输层和电子传输层。深红光钙钛矿电致发光器件的性能如图6和表2所示。需要指出的是，本文对本体和掺杂比例为0.2的钙钛矿发光层器件也进行了研究，但是并没有得到数据，这可能是因为其薄膜覆盖率极低导致的。