《表2 晶棒中不同部位含氧量的径向分布》

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《硅单晶片中的氧及对后续缺陷的影响》

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氧含量在硅单晶片的径向分布主要与晶棒和坩埚的转速有关。晶棒的旋转有利于熔液强迫对流，使熔体中的氧均匀分布，加快氧在熔体表面挥发。而晶棒覆盖的熔体中心的挥发性不如边缘部分，导致中心部位的氧含量高于边缘部分。