《表6 不同NCS层掺杂浓度下阻断电压和导通电压》

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《一种具有延伸浮空P基区结构的CSTBT器件特性分析及关键参数优化》

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表6为EFP CSTBT的N型CS层掺杂浓度对阻断特性和导通压降影响的仿真数据。随着掺杂浓度的增加，器件阻断电压变低；相反导通电阻变小，导通压降及导通功耗降低。当NCS的掺杂浓度继续增加达到1.0×1016cm-3时，器件的耐压水平急剧下降，对器件阻断特性影响较大。因此认为NCS层掺杂浓度为1.0×1015cm-3左右时为最优，NCS层掺杂浓度为1.0×1015cm-3时，器件导通电压的改善最优。