《表1 器件在不同电流密度下的CIE值》
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《插入层TmP_yPb对白色有机电致发光二极管色纯度的影响》
各器件在三种电流密度下的CIE值如表1所示。器件A、B的CIE坐标在相同电流密度下基本上随插入层厚度的变化呈现出较明显的变化。而插入层厚度为4、6nm的器件C、D色坐标不再变化。可见插入层TmPyPb的厚度大于4nm后,器件的色坐标稳定,白光色纯度好,接近于白光等能点。
图表编号 | XD00188399200 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.08.01 |
作者 | 王振、王培、陈爱、谢嘉凤、袁军、袁素真 |
绘制单位 | 重庆邮电大学光电工程学院、重庆邮电大学光电工程学院、重庆邮电大学光电工程学院、重庆邮电大学光电工程学院、重庆邮电大学光电工程学院、重庆邮电大学光电工程学院 |
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