《表2 铜在不同甘氨酸质量分数下的腐蚀电位和腐蚀电流密度》
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《硅通孔化学机械平坦化中铜去除的电化学与选择性研究》
在H2O2 3%、pH=10的条件下,铜电极在不同甘氨酸质量分数的溶液中的动电位极化曲线如图3所示,相应的腐蚀电位和腐蚀电流密度列于表2。随着甘氨酸质量分数的增大,腐蚀电位负移,腐蚀电流密度增加,说明铜电极的腐蚀随着甘氨酸质量分数升高而加剧。
图表编号 | XD00148879700 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.05.15 |
作者 | 刘旭阳、张保国、王如 |
绘制单位 | 河北工业大学电子信息工程学院、河北工业大学天津市电子材料与器件重点实验室、河北工业大学电子信息工程学院、河北工业大学天津市电子材料与器件重点实验室、河北工业大学电子信息工程学院、河北工业大学天津市电子材料与器件重点实验室 |
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