《表1 不同KBr O3质量分数时Ga N的腐蚀电位和腐蚀电流密度》

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《光催化氧化对GaN材料腐蚀电化学及化学机械抛光的影响》

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首先在p H=9的条件下探究了不同KBr O3质量分数对Ga N腐蚀电位的影响。如图2所示，随着KBr O3质量分数的增大，Ga N的腐蚀电位呈现先负移后正移的趋势，在KBr O3质量分数为1%时，腐蚀电位最负（见表1）。根据电化学理论，腐蚀电位越负，Ga N材料的腐蚀倾向越强。因此1%KBr O3溶液对Ga N的氧化能力最强，当KBr O3质量分数低于1%时，溶液不能充分氧化Ga N，而高于1%时，Ga N表面生成的氧化层（Ga2O3）会阻止其进一步的氧化。