《表2 Ta和Cu在不同表面活性剂体积分数的溶液中的腐蚀电位和腐蚀电流密度》

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《碱性抛光液中铜和钽CMP的去除速率控制和电偶腐蚀研究》

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从图10和表2可以看出，钽的腐蚀电位随着ADS体积分数的上升而正移，说明在钽的表面形成了膜，抑制了钽的去除速率，腐蚀电流密度的下降也说明了这个问题。而铜的腐蚀电位和腐蚀电流密度的变化与钽的情况相反，说明了ADS对铜的去除有促进作用，把铜表面的氧化膜去除了。在加入ADS之前，Cu和Ta之间的腐蚀电位差为186 m V，而加入15 m L/L ADS之后，Cu和Ta之间的腐蚀电位为11 m V，显著地缩小了Cu和Ta之间的腐蚀电位差。此时Cu和Ta之间的去除速率比接近1∶1。