《表1 Ta和Cu在不同浓度的氧化剂溶液中的腐蚀电位和腐蚀电流密度》

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《碱性抛光液中铜和钽CMP的去除速率控制和电偶腐蚀研究》

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由图4和表1可以看到，Cu和Ta的腐蚀电位随着KIO4浓度的升高而正移，说明Cu和Ta的表面都形成氧化膜。铜的腐蚀电流密度一直呈上升的趋势，说明在实验条件下铜的去除速率应该是一直上升，而钽的腐蚀电流密度先上升后下降，那么钽的去除速率应该是先上升后下降。