《表1 铜在不同溶液中的开路电位、腐蚀电位和腐蚀电流密度》

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《不同抑制剂对铜图形片化学机械抛光后碟形坑及蚀坑的影响》

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注：基础液是20 g/L Gly+20 m L/L H2O2。

由图4a可知，不含抑制剂时铜的OCP为79.42 m V，加入1 mmol/L的TAZ、BTA、TT后OCP分别正移了49.55、69.50和77.34 m V，OCP（TT）>OCP（BTA）>OCP（TAZ）。一般来说，OCP越低，金属的活性越高，金属表面越容易发生反应。当金属的阳极反应增强或阴极反应被抑制时，OCP将负移；反之，OCP将正移[10]。由此可见，3种抑制剂的引入均能在一定程度上降低金属铜的活性，从而减弱了铜在溶液中反应的程度，TAZ抑制作用最弱。由表1可以看出，加入TAZ、BTA或TT后，腐蚀电位正移了至少47 m V，φcorr（TAZ）<φcorr（BTA）<φcorr（TT）；腐蚀电流密度则降低了至少87.7%，jcorr（TAZ）>jcorr（BTA）>jcorr（TT）。这是由于3种抑制剂跟铜反应形成配合物（Cu-TT、Cu-TAZ和Cu-BTA）钝化膜吸附在铜表面，抑制了铜表面的进一步腐蚀。使用TT时腐蚀电位最正、腐蚀电流密度最小，可能与其形成的钝化膜同时具有物理吸附和化学吸附有关。电化学测试结果与静态腐蚀实验结果一致。