《表2 Ga N在1%KBr O3溶液中的腐蚀电位和腐蚀电流密度与p H的关系》

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《光催化氧化对GaN材料腐蚀电化学及化学机械抛光的影响》

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在探究p H对Ga N腐蚀电位的影响时，分别对酸性条件和碱性条件进行分析。从图3a可以看出在p H 3～6区间内，随着p H的增大，Ga N的腐蚀电位先负移后正移，在p H=4时达到最负；从图3b可以看出在p H 8～11区间内，随着p H的升高，Ga N的腐蚀电位逐渐负移，p H=11时最负。表2列出了不同p H下Ga N材料的腐蚀电位和腐蚀电流密度的对应关系。