《表1 抛光液中不同H2O2和TAZ的配比条件下铜的去除速率和台阶高度修正能力》

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《集成电路铜膜化学机械抛光台阶高度修正能力的研究》

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注：“/”表示不考察。

在基础抛光液中加入不同配比的H2O2和TAZ后对图形片进行CMP，使用台阶仪测量抛光前、后的台阶高度，以探究H2O2和TAZ的配比对台阶高度修正能力的影响（图形片多次使用，即每次抛光后的结果将作为下一次抛光前的初值），结果见表1和图3。