《表4 不同组分抛光液的铜去除速率》

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《硅通孔化学机械平坦化中铜去除的电化学与选择性研究》

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2.2节已经对铜和钽在CMP中的去除速率和选择性做了细致的研究，但晶圆的表面质量在确定最佳工艺中同样重要。本节对铜在不同抛光液中抛光后的表面粗糙度进行了检测，测试了图5-7中抛光速率最大的那组实验样品（见表4）的表面粗糙度，结果如图10所示。与抛光前铜表面的粗糙度相比，CMP后铜表面的粗糙度明显降低。然而随着抛光速率的升高，晶圆表面品质下降，原因是抛光速率高的抛光液使得铜表面的腐蚀增强，因此粗糙度升高。为平衡两者之间的关系，确定甘氨酸质量分数为2%，过氧化氢体积分数为3%时，抛光液性能最佳，抛光速率可达2.3μm/min的同时，粗糙度为5 nm。