《表4 优化抛光工艺表：紫外光催化辅助SiC抛光过程中化学反应速率的影响》

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《紫外光催化辅助SiC抛光过程中化学反应速率的影响》

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根据上述各因素的单因素抛光实验结果，选择合适的工艺参数（见表4）对6H-SiC晶片C面进行120 min的抛光，抛光结果如图18—图20所示。从图中可以看出，抛光表面光滑平整，无划痕、凹坑等表面损伤，平均表面粗糙度Ra达到0.281 nm，表面均匀性良好。从白光干涉仪检测的三维形貌（见图20）可以发现，抛光表面平整光滑，最深处Rv为1.52 nm，最高处Rp为1.59 nm，获得了超光滑无损伤表面。