《表2 6H-SiC晶片抛光表面的碳物质相对百分比含量》

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《SiC晶片不同晶面的CMP抛光效果对比研究》

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表2比较了抛光后6H-SiC晶片Si面和C面的C物质的相对百分比含量（%）。从表中数据可知，Si面的氧化产物含量（如Si4-C4-x-O2、Si4-C4-O4、C-O和C=O）比C面的高，这表明C面的氧化物比Si面的更易于被去除。