《表4 不同磨削条件下所需的抛光去除量》

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《MEMS用硅片的磨削工艺研究》

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由于磨削过程为金刚石砂轮与硅片的机械摩擦过程，硅片表面产生机械损伤在所难免，而MEMS器件制作要求硅片表面超光滑、无损伤，因此磨削后的硅片要经过化学机械抛光过程，抛光去除量直接反映磨削硅片表面损伤层的大小。在表3中的3组磨削条件下磨削后，进行抛光，抛光去除量如表4所示。