《表1 硅单晶晶向与刻蚀速率的关系》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《MEMS中硅各向异性腐蚀特性研究》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

μm/h

在相同的条件下，KOH的刻蚀速率比TMAH要快得多。而且KOH刻蚀的各向异性比TMAH要强烈，对结构形状具有良好的控制性。例如晶向为〈111〉的硅单晶片，在质量比为40%的KOH溶液中温度为90℃时，其刻蚀速率可达24μm/h左右，而相同条件下的TMAH，其腐蚀速率12μm/h左右。若将硅单晶的晶向改为〈100〉，在KOH液中其刻蚀速率可达250μm/h，TMAH液中刻蚀速率可达120μm/h，如表1所示。