《表2〈100〉晶向Si片在40%KOH刻蚀液中的刻蚀速率 (90℃)》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《MEMS中硅各向异性腐蚀特性研究》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

在单晶晶向一定，腐蚀液浓度、温度一定的条件下，添加剂对刻蚀速率也有一定的影响。添加剂增加了刻蚀液的亲润或者是带走反应产生的气体，这都有利于硅表面对反应离子的吸附，提高刻蚀速率。添加剂浓度过高时，表面吸附的非反应离子增加，它将阻碍反应速率的进一步提高，刻蚀速率受添加剂的影响，呈现先升后降的趋势。如表2所示。