《表2 TSV刻蚀工艺参数》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《应用于有源芯片三维集成的小孔径高深宽比TSV刻蚀工艺》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

将优化好的SiO2微孔深刻蚀工艺和小孔径、高深宽比的Si刻蚀工艺相结合，采用表1和表2中的工艺参数，完成硅衬底表面具有约10μm厚SiO2的TSV刻蚀，SEM下的刻蚀结果如图7所示。从图中可以看到，硅衬底表面的SiO2和TSV刻蚀的整体形貌良好，SiO2开口呈“喇叭状”，TSV上孔径为5.39μm，下孔径为4.91μm，刻蚀深度为58.0μm，刻蚀深宽比大于10∶1，TSV孔壁光滑，孔口无“咬边”现象，满足有源芯片上小孔径（≤10μm）、高深宽比（≥10∶1）的尺寸要求以及Si孔壁垂直而SiO2孔壁呈“喇叭状”且整个孔壁平滑连续的TSV深孔形貌要求，能够应用于表面具有厚绝缘层的有源芯片上TSV的制备。